ẢNH HƯỞNG CỦA LIÊN KẾT SPIN QUỸ ĐẠO LÊN TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA MoS2 ĐƠN LỚP

EFFECT OF SPIN-ORBIT COUPLING ON ELECTRONIC PROPERTIES OF MONOLAYER MoS2
Nơi đăng: TC Khoa học và Giáo dục - Trường ĐHSP - ĐHĐN (Ngành Toán, Ngôn ngữ học, Văn học), Số: 30(04).2018, Trang: 8, Năm: 2018, Loại bài viết: Bài báo, Quốc gia: Việt Nam.

Tóm tắt:

Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu ảnh hưởng của liên kết spin quỹ đạo lên tính chất điện tử của MoS2 đơn lớp được đặt trong điện trường bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ. Các tính toán của chúng tôi đã chỉ ra rằng, có sự tách các vùng con ở lân cận mức Fermi trong cấu trúc vùng năng lượng điện tử của MoS2 đơn lớp khi xét đến liên kết quỹ đạo spin. Bên cạnh đó, chúng tôi nhận thấy rằng đã xảy ra sự chuyển pha bán dẫn - kim loại trong MoS2 đơn lớp khi điện trường ngoài bằng 1,0 V/Å.

Từ khóa: MoS2 đơn lớp; tính chất điện tử; lí thuyết phiếm hàm mật độ.

Abstract:

In the present paper (article), we examine the effect of spin-orbit coupling on electronic properties of monolayer MoS2 under an external electric field using density functional theory. Our caculations show that there is a spliting of subbands near the Fermi level in the electronic band structure of the monolayer MoS2 when the spin-orbit coupling effect is included. Besides, the semiconductor-metal phase transition has been found in the monolayer MoS2 at the external electric field of 1.0 V/Å.

Keywords: Monolayer MoS2; electronic properties; density functional theory.