Transistor trường tiếp xúc dị thể AlGaN/GaN với lớp cách điện BN lắng đọng bằng phương pháp phún xạ

AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric
Tác giả: TS. Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, TS. Cộng Sự 3, TS. Nguyễn Quý Tuấn
Nơi đăng: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013), Số: , Trang: , Năm: 2013, Loại bài viết: Bài báo, Quốc gia: Japan.