Ứng dụng của lớp màng mỏng AlTiO cho việc chế tạo transistor hiệu ứng trường tiếp xúc dị thể AlGaN/GaN

Application of AlTiO thin films to AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors.
Tác giả: TS. Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, TS. Cộng Sự 3, TS. Cộng Sự 4, TS. Nguyễn Quý Tuấn
Nơi đăng: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013), Số: J-2-2, Trang: 920-921, Năm: 2013, Loại bài viết: Bài báo, Quốc gia: Japan.