X-ray photoelectron spectroscopy for BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors

X-ray photoelectron spectroscopy for BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
Tác giả: TS. Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, TS. Cộng Sự 3, TS. Nguyễn Quý Tuấn
Nơi đăng: 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013), Số: , Trang: 49-50, Năm: 2013, Loại bài viết: Bài báo, Quốc gia: Japan.