Low-frequency noise of intrinsic gated region in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors

Low-frequency noise of intrinsic gated region in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
Tác giả: TS. Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, TS. Cộng Sự 3, TS. Cộng Sự 4, TS. Nguyễn Quý Tuấn
Nơi đăng: 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014), Số: , Trang: 622-623, Năm: 2014, Loại bài viết: Bài báo, Quốc gia: Japan.