Lý lịch khoa học cá nhân

Trở lạiIn
Thông tin chung
profile
Họ và tên: Nguyễn Quý Tuấn
Ngày sinh: 1984
Giới tính: Nam
Nơi sinh: Tam Kỳ, Quảng Nam
Quê quán: Tam Kỳ, Quảng Nam
Dân tộc: Kinh
Tốt nghiệp đại học chuyên ngành: , Tại: Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng - Việt Nam, Năm: 2006
Đơn vị công tác: Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm
Chức vụ: Trưởng bộ môn
Học vị - Chức danh KH: Tiến sĩ (2014)
Lĩnh vực nghiên cứu: Vô tuyến điện tử; Vật liệu bán dẫn, Vật liệu cách điện; Vật liệu cách điện BN, AlN, Al2O3, TiO2; Vật liệu bán dẫn; Transistor hiệu ứng trường
Chuyên ngành giảng dạy: Vật lý đại cương; Vật lý đại cương; Vật lý bán dẫn
Trình độ ngoại ngữ:
Địa chỉ liên hệ: 459 Tôn Đức Thắng, Q. Liên Chiểu, TP. Đà Nẵng
Điện thoại cơ quan:
E-mail: nqtuan@ued.udn.vn; quytuangt@gmail.com
Đường dẫn: http://scv.ued.udn.vn/~nguyen-quy-tuan

Quá trình đào tạo
Từ Năm 2002 đến Năm 2006: Trình độ - Cử nhân/Kỹ sư; Ngành - Vật lý; Chuyên ngành - Tại Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng, Việt Nam
Từ Năm 2006 đến Năm 2008: Trình độ - Thạc sĩ; Ngành - Vật lý; Chuyên ngành - Vô tuyến điện tử Tại Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội, Việt Nam
Từ Năm 2011 đến Năm 2014: Trình độ - Tiến sĩ; Ngành - Vật lý; Chuyên ngành - Vật liệu và công nghệ nano Tại Viện Khoa học và Công nghệ tiên tiến Nhật Bản (JAIST), Nhật Bản, Japan

Quá trình giảng dạy và công tác
Từ 01-01-2006 đến 01-11-2014: Giảng viên - Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm, Đại học Đà Nẵng.
Từ 01-11-2015 đến nay: Trưởng Bộ môn Vật lý đại cương 1 - Khoa Vật lý, Trường ĐH Sư phạm, Đại học Đà Nẵng

Các đề tài khoa học
[1] Cấp cơ sở (Trường): Xây dựng và triển khai các bài thí nghiệm Vật lí‎ trong chương trình THCS cho dự án đào tạo giáo viên THCS
Chủ nhiệm: Nguyễn Bá Vũ Chính , Thành viên: Nguyễn Quý Tuấn , Mã số: T2009-03-68

Các bài báo, báo cáo khoa học
Trong nước
[1] Bài báo: TỔ CHỨC HOẠT ĐỘNG TRẢI NGHIỆM VẬN DỤNG KIẾN THỨC DÒNG ĐIỆN XOAY CHIỀU, VẬT LÍ 12 CHO HỌC SINH
ORGANIZING EXPERIENTIAL ACTIVITIES TO APPLY THE KNOWLEDGE OF ALTERNATING CURRENTS, PHYSICS 12 FOR STUDENTS

Tác giả: Nguyễn Bảo Hoàng Thanh, Nguyễn Quý Tuấn, Nguyễn Thị Xuân Hoài, Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, Phùng Việt Hải Tạp chí: TC Khoa học và Giáo dục - Trường ĐHSP - ĐHĐN (Ngành Toán, Ngôn ngữ học, Văn học) Số: 29B(03).2018 Trang: 17 Năm: 2018
[2] Bài báo: TÍNH TOÁN CÁC TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA CHẤT ĐA HÌNH BORON NITRIC DỰA TRÊN LÝ THUYẾT PHIẾM HÀM MẬT ĐỘ
Calculating electronic properties of boron nitride polymorphs based on density functional theory

Tác giả: Nguyễn Quý Tuấn Tạp chí: TC Khoa học và Giáo dục - Trường ĐHSP - ĐHĐN (Ngành Toán, Ngôn ngữ học, Văn học) Số: 19(02) Trang: 47 Năm: 2016
[3] Bài báo: NGHIÊN CỨU SỰ UỐN CONG MẶT MẠNG TINH THỂ CỦA MÀNG AlN TRỒNG TRÊN ĐẾ α-Al2O3 ĐƯỢC GIA CÔNG RÃNH SỬ DỤNG NHIỄU XẠ TIA X
STUDY OF THE CURVATURE OF A THICK AlN FILM GROWN ON A TRENCH-PATTERNED α-Al2O3 TEMPLATE USING X-RAY DIFFRACTION

Tác giả: Nguyễn Quý Tuấn, Đinh Thanh Khẩn Tạp chí: TẠP CHÍ KHOA HỌC CÔNG NGHỆ ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG Số: 12 Trang: 30-32 Năm: 2015
Quốc tế
[1] Bài báo: Low-frequency noise of intrinsic gated region in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
Low-frequency noise of intrinsic gated region in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors

Tác giả: Cộng Sự 1, Nguyễn Quý Tuấn, Cộng Sự 2, Cộng Sự 3, Cộng Sự 4 Tạp chí: 2014 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2014) Số: Trang: 622-623 Năm: 2014
[2] Bài báo: Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices: A comparison with Schottky devices
Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices: A comparison with Schottky devices

Tác giả: Cộng Sự 1, Nguyễn Quý Tuấn, Cộng Sự 2, Cộng Sự 3, Cộng Sự 4 Tạp chí: Journal of Applied Physics Số: 116 Trang: 054510-1--054510-8 Năm: 2014
[3] Bài báo: Temperature-dependent characteristics of AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
Temperature-dependent characteristics of AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors

Tác giả: Nguyễn Quý Tuấn, Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, Cộng Sự 3, Cộng Sự 4, Cộng Sự 5 Tạp chí: 2014 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices Số: Trang: 234-238 Năm: 2014
[4] Bài báo: Ứng dụng của lớp màng mỏng AlTiO cho việc chế tạo transistor hiệu ứng trường tiếp xúc dị thể AlGaN/GaN
Application of AlTiO thin films to AlTiO/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors.

Tác giả: Nguyễn Quý Tuấn, Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, Cộng Sự 3, Cộng Sự 4 Tạp chí: 2013 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2013) Số: J-2-2 Trang: 920-921 Năm: 2013
[5] Bài báo: X-ray photoelectron spectroscopy for BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors
X-ray photoelectron spectroscopy for BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors

Tác giả: Cộng Sự 1, Nguyễn Quý Tuấn, Cộng Sự 2, Cộng Sự 3 Tạp chí: 10th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2013) Số: Trang: 49-50 Năm: 2013
[6] Bài báo: Fabrication and characterization of BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric
Fabrication and characterization of BN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric

Tác giả: Nguyễn Quý Tuấn, Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, Cộng Sự 3 Tạp chí: Phys Status Solidi C Số: 10 Trang: 1401-1404 Năm: 2013
[7] Bài báo: Transistor trường tiếp xúc dị thể AlGaN/GaN với lớp cách điện BN lắng đọng bằng phương pháp phún xạ
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterojunction field-effect transistors with sputtering-deposited BN gate dielectric

Tác giả: Nguyễn Quý Tuấn, Cộng Sự 1, Cộng Sự 2, Cộng Sự 3 Tạp chí: The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS 2013) Số: Trang: Năm: 2013

Khen thưởng
[1] Khác - AWAD2014 Young Researcher Award - Quốc tế ; Năm: 2014, Ngày 03-07-2014.